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CHI900D/920D掃描電化學顯微鏡

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產(chǎn)品摘要

  • 南北儀器是CHI900D/920D掃描電化學顯微鏡產(chǎn)品的供應商,提供CHI900D/920D掃描電化學顯微鏡全套產(chǎn)品的價格,參數(shù),價錢,報價,品牌等資料,歡迎來電咨詢優(yōu)惠價錢,南北儀器品質提供

 

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CHI900D/920D掃描電化學顯微鏡

電化學掃描顯微鏡(SECM)發(fā)明于1989年并獲得美國。CH InstrumentsUniversity of Taxes at Austin的化學系的Allen J. Bard教授合作實現(xiàn)了電化學掃描顯微鏡的儀器商品化,從而使得這一強有力的研究方法走進了更多的實驗室。

掃描電化學顯微鏡與掃描隧道顯微鏡(STM)的工作原理類似。但SECM測量的不是隧道電流,而是由化學物質氧化或還原給出的電化學電流。盡管SECM的分辨率較STM低,但SECM的樣品可以是導體,絕緣體或半導體,而STM只限于導體表面的測量。SECM除了能給出樣品表面的地形地貌外,還能提供豐富的化學信息。其可觀察表面的范圍也大得多。

SECM的實驗中,探頭先移動到非常靠近樣品表面,然后在X-Y的平面上掃描。探頭是雙恒電位儀的個工作電極。如果樣品也是導體,則通常作為第二個工作電極。探頭的電位控制在由傳質過程控制的氧化或還原的電位。而樣品的電位被控制在其逆反應的電位。由于探頭很靠近樣品,探頭上的反應產(chǎn)物擴散到樣品表面又被反應成為原始反應物并回到探頭表面再作用,從而造成電流的增加。這被稱為"正反饋"方式。正反饋的程度取決于探頭和樣品間的距離。如果樣品是絕緣體,當探頭靠近樣品時,反應物到電極表面的擴散流量受到樣品的阻礙而造成電流的減少。這被稱為"負反饋"方式。負反饋的程度亦取決于探頭和樣品間的距離。探頭電流和探頭與導體或絕緣體樣品間的距離的關系可通過現(xiàn)有理論計算得到。

基于以上特性,SECM已在多個領域發(fā)現(xiàn)了許多應用。SECM能被用于觀察樣品表面的化學或生物活性分布,亞單分子層吸附的均勻性,測量快速異相電荷傳遞的速度,一或二隨后反應的速度,酶-中間體催化反應的動力學,膜中離子擴散,溶液/膜界面以及液/液界面的動力學過程。SECM還被用于單分子的檢測,酶和脫氧核糖核酸的成像,光合作用的研究,腐蝕研究,化學修飾電極膜厚的測量,納米刻蝕,沉積和加工,等等。SECM的許多應用或是其他方法無法取代的,或是用其他方法很難實現(xiàn)的。

CHI900D/920DSECMCHI900C/920C的改進型。儀器由雙恒電位儀/恒電流儀,高分辨的三維定位裝置,和樣品/電解池架子組成。三維定位裝置采用步進電機(CHI900D)或者步進電機與壓電晶體的組合(CHI920D),可允許50毫米的運行距離并達到納米的空間分辨。與CHI900B/910B采用的步進電機相比,新的步進電機的線性度和分辨率都明顯改善。步進電機移動平臺的分辨率可達4納米。這使得大部分SECM的應用可以僅用步進電機定位器(CHI900D)來實現(xiàn)。從而進一步降低了儀器的價格。在需要不斷調整定位器而達到電流控制或其它控制的情況下,可采用步進電機與壓電晶體閉環(huán)控制定位器的組合(CHI920D)。CHI920D的壓電晶體閉環(huán)控制定位器為XYZ三維空間。

雙恒電儀集成了數(shù)字信號發(fā)生器和高分辨數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。電位范圍為±10V,電流范圍為±250mA。儀器的噪聲,其電流測量可低于1pA。兩個工作電極的電位可單控制,也允許同步掃描或階躍。與CHI900B相比,CHI900D在保持低噪聲的條件下,速度大為提高。信號發(fā)生器的更新速率為10MHz,數(shù)據(jù)采集采用兩個同步16位高分辨低噪聲的模數(shù)轉換器,雙通道同時采樣的高速率為1MHz。循環(huán)伏安法的掃描速度為990V/s時,電位增量僅0.1mV,當掃描速度為5000V/s時,電位增量為1mV。儀器增加了交流測量方法,如交流阻抗的測量頻率可達1MHz,交流伏安法的頻率可達10KHzCHI900D仍具備恒電流儀,正反饋iR降補償,用于旋轉電極轉速控制的模擬電壓輸出信號(0-10V),外部信號輸入通道,以及一個16位高分辨高穩(wěn)定的電流偏置電路。

除了SECM成像以外,儀器還提供探頭掃描曲線,探頭逼近曲線和表面成像處理。探頭可沿XY,或Z的方向掃描,探頭和第二工作電極的電位可控制并分別測量兩個通道的電流。當電流達到某一設定值時,探頭會停止掃描。探頭逼近表面時采用PID控制,可自動調節(jié)移動步長使得快速逼近但又避免探頭碰撞樣品表面。儀器的控制軟件是多用戶界面的視窗程序,十分友好易用。儀器的其他特點還包括靈活的實驗控制,數(shù)據(jù)分析,并集成了三維圖形。除了電流檢測方式,探頭的電位也能被檢測,從而允許用電位法做SECM。儀器還允許多種常規(guī)電化學測量方法。

硬件參數(shù)指標

高分辨的三維定位裝置:

步進電機XYZ分辨率:8nm(CHI900D)

步進電機加閉環(huán)壓電晶體XYZ分辨率:1.6nm (CHI920D)

XYZ移動距離:50 mm

恒電位儀/雙恒電位儀

·零阻電流計

·2,3,4電極結構

·浮動地線或實地

·兩個通道大電位范圍:±10 V

·大電流:±250 mA連續(xù)(兩個通道電流之和), ±350 mA峰值

·槽壓:±13 V

·恒電位儀上升時間:小于1ms,通常0.8ms

·恒電位儀帶寬(-3分貝):1 MHz

·所加電位范圍:±10 mV, ±50 mV, ±99 mV, ±650 mV, ±3.276 V, ±6.553 V, ±10 V

·所加電位分辨:電位范圍的0.0015%

·所加電位準確度:±1 mV,±滿量程的0.01%

·所加電位噪聲:< 10mV均方根植

·測量電流范圍:±10 pA±0.25 A,12量程

·測量電流分辨:電流量程的0.0015%,低0.3 fA

·電流測量準確度:電流靈敏度大于等于1e-6 A/V時為0.2%,其他量程1%

·輸入偏置電流:< 10 pA

恒電流儀

·恒電流范圍:3 nA – 250 mA

·所加電流準確度:如果電流大于3e-7A時為0.2%,其他范圍為1%±20 pA

·所加電流分辨率:電流范圍的0.03%

·測量電流范圍:±0.025 V, ±0.1 V, ±0.25 V, ±1 V, ±2.5 V, ±10 V

·測量電位分辨率:測量范圍的0.0015%

Electrometer:電位計

·參比電極輸入阻抗:1e12歐姆

·參比電極輸入帶寬:10 MHz

·參比電極輸入偏置電流:<= 10 pA @ 25°C

波形發(fā)生和數(shù)據(jù)獲得系統(tǒng)

·快速信號發(fā)生更新速率:10 MHz,16位分辨

·快速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng):16位分辨,雙通道同步采樣,采樣速率每秒1,000,000

·外部信號記錄通道高采樣速率1M Hz

其他特點

·自動或手動iR降補償

·電流測量偏置:滿量程,16位分辨,0.003%準確度

·電位測量偏置:±10V,16位分辨,0.003%準確度

·外部電位輸入

·電位和電流的模擬輸出

·可控電位濾波器的截止頻率:1.5 MHz, 150 KHz, 15 KHz, 1.5 KHz, 150 Hz, 15 Hz, 1.5 Hz, 0.15 Hz

·可控信號濾波器的截止頻率:1.5 MHz, 150 KHz, 15 KHz, 1.5 KHz, 150 Hz, 15 Hz, 1.5 Hz, 0.15 Hz

·旋轉電極控制電壓輸出(CHI630E以上型號):0-10V對用于0-9900 rpm的轉速,16位分辨,0.003%準確度,需要某些旋轉電極裝置才能工作

·通過宏命令可以控制數(shù)字輸入輸出線

·內(nèi)閃存儲器可迅速更新程序

·串行口或USB口數(shù)據(jù)通訊

·電解池控制:通氮,攪拌,敲擊(需要特殊電解池系統(tǒng))

·CV數(shù)字模擬器和擬合器。用戶定義反應機理

·交流阻抗模擬器和擬合器

·探頭逼近曲線的模擬和擬合

·大數(shù)據(jù)長度:256,000-16,384,000可選擇

·儀器尺寸:兩個37 cm ()´23 cm ()´12 cm ()

·儀器重量: 7 kg

實驗技術

掃描探頭技術:

表面成象處理(SPC)

探頭掃描曲線(PSC,X,Y,Z方向)

探頭逼近曲線(PAC)

掃描電化學顯微鏡(SECM)

PSCSECM允許電流,電位,常電流,阻抗檢測

電位掃描技術:

循環(huán)伏安法(CV)

線性掃描伏安法(LSV)

TAFEL(TAFEL)

電位階躍和脈沖技術:

計時電流法(CA)

計時電量法(CC)

階梯波伏安法(SCV)

差分脈沖伏安法(DPV)

常規(guī)脈沖伏安法(NPV)

差分常規(guī)脈沖伏安法(DNPV)

方波伏安法(SWV)

交流技術:

交流伏安法(ACV)

二次諧波交流伏安法(SHACV)

傅里葉變換交流伏安法(FTACV)

交流阻抗(IMP)

交流阻抗-電位(IMPE)

交流阻抗-時間(IMPT)

恒電流技:

計時電位法(CP)

電流掃描計時電位法(CPCR)

多電流階躍(ISTEP)

電位溶出分析(PSA)

其它電化學測量技術:

時間-電流曲線(i-t)

差分脈沖安培法(DPA)

雙差分脈沖安培法(DDPA)

三脈沖安培法(TPA)

積分脈沖電流檢測(IPAD)

掃描-階躍混和方法(SSF)

多電位階躍(STEP)

流體力學調制伏安法(HMV)

控制電位電解庫侖法(BE)

電化學噪聲測量(ECN)

各種溶出伏安法

開路電位-時間曲線(OCPT)

實驗參數(shù)

·CVLSV掃描速度:0.000001V/s10,000 V/s,雙通道同步掃描及采樣至10,000 V/s

·掃描時的電位增量:0.1 mV(當掃速為1,000 V/s時)

·CACC的脈沖寬度:0.0001990 sec

·CA的小采樣間隔:1ms,雙通道同步

·CC的小采樣間隔:1ms

·CC模擬積分器

·DPVNPV的脈沖寬度:0.00110 sec

·SWV頻率:199 kHz

·i-t的小采樣間隔:1ms雙通道同步

·ACV頻率范圍:0.110 kHz

·SHACV頻率范圍:0.15 kHz

·FTACV頻率范圍:0.150Hz,可同時獲取基波,二次諧波,三次諧波,四次諧波,五次諧波,六次諧波的ACV數(shù)據(jù)

·交流阻抗:0.000011 MHz

·交流阻抗波形幅度:0.00001 V0.7 V均方根

標簽: EJ-2示波器原理和電子束實驗裝置 JDC-IV靜電場描繪實驗裝置
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